Товары бренда: Samsung
SAMSUNG Модуль памяти 128GB DDR4-3200 LR M386AAG40BM3-CWE
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти 16GB DDR5-4800 REG M321R2GA3BB6-CQK
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти 32GB DDR4-3200 M393A4K40EB3-CWE
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти 32GB DDR5-4800 M321R4GA0BB0-CQK
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти 32GB DDR5-4800 M321R4GA3BB6-CQK
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти 64GB DDR4-3200 ECC M393A8G40BB4-CWE
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти 64GB DDR4-3200 M393A8G40CB4-CWE
Оперативная память DDR4 64GB Samsung M393A8G40CB4-CWE — это модуль памяти с ёмкостью 64 ГБ и тактовой частотой 3200 МГц. Он использует чипы памяти Samsung B-die и обеспечивает высокую производительность для игровых систем и рабочих станций. Модуль имеет следующие характеристики: форм-фактор — DIMM, объём — 64 ГБ, тактовая частота — 3200 МГц, тайминги — CL21-21-21-51, напряжение — 1,2 В, поддержка XMP есть, радиатор отсутствует, подсветка нет.
SAMSUNG Модуль памяти 64GB DDR5-4800 M321R8GA0BB0-CQK
Серверное оборудование
SAMSUNG Модуль памяти для ноутбука SODIMM 16GB DDR5-4800 M425R2GA3BB0-CQK
Название Память оперативная DDR5 Samsung 16Gb SO-DIMM DDR5 SEC (PC5-38400, 4800, CL40) 1.1V (M425R2GA3BB0-CQK). Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400. CL 40. Количество чипов каждого модуля 8. Напряжение питания 1.1 В. Количество рангов 1. Количество контактов 262. Упаковка чипов двусторонняя. Гарантийный срок 1 г.
SAMSUNG Память 64GB DDR4 RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A8G40AB2-CWE)
SAMSUNG Память DDR4 M386A8K40DM2-CWE 64Gb DIMM ECC LR PC4-25600 CL22 3200MHz
SAMSUNG Память DDR4 M393A8G40CB4-CWE 64Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz
SAMSUNG Память DDR5 M321R4GA3BB6-CQKET 32Gb RDIMM ECC Reg PC5-38400 4800MHz
SAMSUNG Память DIMM DDR5 16Gb PC44800 5600MHz CL46 1.1V (M323R2GA3PB0-CWM)
Samsung DDR4 DIMM 32GB M378A4G43AB2-CWE PC4-25600, 3200MHz
Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL
Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных. Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно
Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL
Код товара: 90016902
Samsung M323R2GA3PB0-CWM
[Модуль памяти] Samsung DDR5 16GB DIMM 5600MHz M323R2GA3PB0-CWM
Samsung M323R2GA3PB0-CWM
Код товара: 90322055
Samsung M378A2K43EB1-CWE
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/110423/3090398/012 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A2K43EB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.4 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 16 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле 16 Компоновка чипов на модуле Двусторонняя Линейка - масса(кг)
Samsung M378A2K43EB1-CWE
Код товара: 90023997
Samsung M471A2G43CB2-CWE
Модуль памяти Samsung M471A2K43EB1-CWE — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 3200 МГц, благодаря чему она и обладает превосходными техническими характеристиками. Стандарт памяти DDR4 PC4-25600. Цена оперативной памяти указана на данной странице.
Samsung M471A2G43CB2-CWE
Код товара: 90210359