Тип памяти: DDR5. Тактовая частота: 5600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: OEM. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC5-44800. Напряжение: 1.1В. Задержка: 40-40-40. Латентность (CAS): CL40. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.133x0.03x0.003. Вес упаковки (ед): 0.02. Подсветка: нет. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 44800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 12 мес.. Тайминги: 40-40-40. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL40. Тип поставки: OEM. Частота: 5600 МГц

Тип памяти: DDR5. Тактовая частота: 5600. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: OEM. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC5-44800. Напряжение: 1.1В. Задержка: 40-40-40. Латентность (CAS): CL40. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.03x0.002. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 44800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 12 мес.. Объем: 1х 8 ГБ. Тип поставки: OEM. Частота: 5600 МГц. Латентность: CL40. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Тайминги: 40-40-40

[Модуль памяти] Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1G44AB0-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM