Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 4. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 7.6. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 7.6. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Максимальная скорость записи: 3000. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000. Максимальная скорость чтения: 3500. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4. Память: тип NAND: TLC. Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000. Максимальная скорость чтения: 7150. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 1024. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 4.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.022x0.095. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Память: тип NAND: MLC. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.05. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 7.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.2. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.023x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24.3. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6450 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Серия: 990. Объем накопителя: 1024. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Разъем: M.2. Максимальная скорость чтения: 7150. Максимальная скорость записи: 6450. Тип памяти NAND: MLC. Структура памяти NAND: 3D. Поддержка NVMe: есть. Поддержка TRIM: есть. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1100000. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 700000. Ресурс TBW: 400 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000. Потребляемая мощность: 4.3. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Толщина товара: 2.38. Тип жесткого диска: SSD. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.1x0.022. Вес упаковки (ед): 0.12. Ключ M.2 разъема: M. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Ударостойкость при работе: 1500 G. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Вес устройства: 9. Гарантия: 12 мес.

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 380. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 15000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.3. Объем накопителя: 240. Потребляемая мощность: 3.6. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 438 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Объем: 240 ГБ; интерфейс: SATA III. Ресурс: TBW 438 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Память: тип NAND: TLC. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 380 МБ/с

Объем: 240 ГБ; интерфейс: SATA III. Скорость: чтения до 540 МБ/с, записи до 480 МБ/с. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Ресурс: TBW 1314 ТБ; DWPD: 3; время наработки: 2000000 ч. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Серия: SM883. Объем накопителя: 240. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA III. Разъем: SATA. Максимальная скорость чтения: 540. Максимальная скорость записи: 480. Структура памяти NAND: 3D. Поддержка TRIM: есть. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 22000. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 97000. Латентность, чтение: 0.2. Латентность, запись: 0.1. Ресурс TBW: 1314 ТБ. Время наработки на отказ: 2000000. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 3. Потребляемая мощность: 3.7. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.4. Толщина товара: 6.8. Тип жесткого диска: SSD. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.096x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Ударостойкость при работе: 1500 G. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Вес устройства: 60. Гарантия: 12 мес.

Контроллер NAND: Samsung MGX. Объем накопителя: 250. Тип жесткого диска: SSD. Форм-фактор: 2.5". Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.1x0.023. Вес упаковки (ед): 0.11. Интерфейс: SATA III. Гарантия: 12 мес.. Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 250. Потребляемая мощность: 3.5. Серия: 870 EVO. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.1x0.023. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 512. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 150 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6450 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 800 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Серия: 990. Объем накопителя: 2. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Разъем: M.2. Максимальная скорость чтения: 7250. Максимальная скорость записи: 6450. Тип памяти NAND: MLC. Структура памяти NAND: 3D. Поддержка NVMe: есть. Поддержка TRIM: есть. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1200000. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Ресурс TBW: 800 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000. Потребляемая мощность: 4.3. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Толщина товара: 2.38. Тип жесткого диска: SSD. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.101x0.022. Вес упаковки (ед): 0.12. Ключ M.2 разъема: M. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Ударостойкость при работе: 1500 G. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Вес устройства: 9. Гарантия: 12 мес.

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 980000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 876 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 876 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Объем: 480 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1400000. Максимальная скорость чтения: 7250. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 5.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1050000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Объем 1 Тб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E1T0BW

Объем 500 Гб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E500BW

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/EU (SATA3)

Накопитель SSD Samsung SATA III 250Gb MZ-77E250BW 870 EVO 2.5"

[накопитель] Samsung SSD 1TB, M.2-2280 PM9C1b PCIe4x4 SED, MZVL81T0HFLB-00B07

[накопитель] Samsung SSD 1Tb 870 EVO Series MZ-77E1T0B/EU

[накопитель] Samsung SSD 1Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP1T0BW

[накопитель] Samsung SSD 1Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP1T0CW

[накопитель] Samsung SSD 1Tb 990 M.2 MZ-V9V1T0BW

D_HEIGHT 1 D_LENGTH 10 D_WIDTH 7 EANUPCCode 240 Гарантия, мес. 12 Емкость, ГБ 240GB Интерфейс Serial ATA III Тип SSD Форм-фактор 2.5' . adpar_property_list {<!-- --> width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td {<!-- --> vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png) no-repeat; background-position: 0px 12px; background-repeat: repeat-x; width:50%; border-bottom-width: 0px; } . adpar_property_list td span {<!-- --> bottom: 1px; } .

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Не подходит для сервера! Производитель: Samsung Серия: 870 EVO Модель: MZ-77E2T0B/AM Тип оборудования: SSD диск Объем ГБ: 2000 Интерфейс SSD: SATA Формат накопителя: 2.5" Пропускная способность интерфейса Гбит/с: 0.6 Скорость чтения Мб/с: 560 Скорость записи Мб/с: 530 Тип интерфейса NAND Flash памяти: V-NAND 3-bit MLC Поддержка TRIM: есть Background Garbage Collection: да Комплект поставки: SSD Тип чипов: 3D NAND Контроллер: Samsung Потребление энергии Вт: 2.5 Максимальные перегрузки: 1500 G MTBF, млн. часов: 1.5 Вес грамм: 46 Рабочая температура: 0 ~ 70 °C Размеры упаковки: 145x99x20 Длина упаковки, мм: 145 Ширина упаковки, мм: 99 Высота упаковки, мм: 20 Вес брутто грамм: 130 Вес в упаковке, г: 130 Размеры ширина x высота x глубина: 100 х 69.85 х 6.8 мм Длина, мм: 100 Толщина, мм: 6,8 Ширина, мм: 69,8 Цвет товара: черный Тип накопителя: SSD Форм-фактор: 2.5" Поддержка технологий: TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ Поддержка RAID: Нет Вариант поставки: без радиатора Страна-изготовитель: Китай Вид накопителя: Стационарный Объем буфера: 2048мб Назначение: для настольного компьютера Количество товара в УЕИ: 1 ТНВЭД: 8471 70 700 0 Сайт производителя: http://www.samsung.com/ Сервисный центр производителя: http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do

[накопитель] Samsung SSD 2Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP2T0BW

[накопитель] Samsung SSD 2Tb 990 EVO Plus M.2 MZ-V9S2T0B/AM NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC

[накопитель] Samsung SSD 2Tb 990 M.2 MZ-V9V2T0BW

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/AM

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/CN

[накопитель] Samsung SSD 960Gb PCIe 5.0 x4, 2.5", MZWL6960HFJA-00AW7

[накопитель] Samsung SSD 960Gb PM883 MZ7LH960HAJR-00005

Гарантия: 12 мес. Форм-фактор: 2.5&#34; U2 Ширина: 100 Высота: 7 Глубина: 70 Серия продукции: PM9A3 Комплект поставки: Инструкция, накопитель Позиционирование использования: Server Ссылка на описание: www. samsung. com Номинальный объем: 960 Максимальная скорость чтения: 6800 Максимальная скорость записи: 4000 Тип памяти: NAND Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)

TBW твердотельного накопителя 600 Ёмкость накопителя 1024 Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe) Назначение Клиентские ПК Скорость последовательного чтения 3600 Скорость последовательной записи 3000 Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 500000 Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 420000 Средняя наработка на отказ 2000000 Тип памяти TLC Форм-фактор M.2 2280 . adpar_property_list {<!-- --> width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

SSD М.2, PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 cкорость чтения/записи 3500/3000 Mb/s, Samsung Pablo Controller, MLC 3D NAND, 2280, 80,15 x 22,15 x 2,38 мм., 8гр.

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 7450/6900 Mb/s, V-NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 2.0, 80.15 x 22.15 x 2.38мм

Серверный SSD Samsung PM9E1 512 ГБ с интерфейсом PCIe 5.0 для максимальной скорости и надёжности в корпоративных системах! M.2 2280, 3D V-NAND, скорость чтения до 14000 МБ/с. Боишься, что даже топовые PCIe 4.0 накопители уже не справляются с нагрузкой современных дата-центров и высоконагруженных баз данных, создавая узкие места в инфраструктуре? PM9E1 с PCIe 5.0 удваивает скорость по сравнению с 4.0, достигая 14000 МБ/с чтения, и обеспечивает низкую задержку и высокую надёжность для корпоративных хранилищ. Поддерживает энкрипцию AES-256, TCG Opal 2.0, высокий ресурс и имеет контроллер Samsung собственной разработки. Комплектуется как OEM-решение. Покупайте прямо сейчас!

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6450 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 800 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Серия: 990. Объем накопителя: 2. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Разъем: M.2. Максимальная скорость чтения: 7250. Максимальная скорость записи: 6450. Тип памяти NAND: MLC. Структура памяти NAND: 3D. Поддержка NVMe: есть. Поддержка TRIM: есть. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1200000. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Ресурс TBW: 800 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000. Потребляемая мощность: 4.3. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Толщина товара: 2.38. Тип жесткого диска: SSD. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.101x0.022. Вес упаковки (ед): 0.12. Ключ M.2 разъема: M. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Ударостойкость при работе: 1500 G. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Вес устройства: 9. Гарантия: 12 мес.

Форм-фактор: 2,5" | Модель: PM1653 | Объем накопителя SSD: 960Гб | Скорость записи: 1300.00 | Скорость чтения: 2100.00 | Наличие SAS: да | DWPD: 1.00 | Объем упаковки, м3: 8.0E-5 | Вес упаковки, кг: 0.07 |

Твердотельный диск 1TB Samsung Т7 Portable MU-PC1T0H, V-NAND, USB 3.2 Gen 2 Type-C [R/W - 1000/1050 MB/s] /EU

Твердотельный диск 2TB Samsung Т7 Portable MU-PC2T0H, V-NAND, USB 3.2 Gen 2 Type-C [R/W - 1000/1050 MB/s]

Твердотельный диск 2TB Samsung Т7 Portable MU-PC2T0T, V-NAND, USB 3.2 Gen 2 Type-C [R/W - 1000/1050 MB/s]

Твердотельный диск 2TB Samsung 870 EVO, V-NAND, 2.5", SATA III, [R/W - 530/560 MB/s]

Твердотельный диск 1TB Samsung 990 PRO, M.2, PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NAND [R/W - 7450/6900 MB/s] with Heatsink

Твердотельный диск 2TB Samsung 990 PRO, M.2, PCI-E 4.0 x4, TLC 3D NAND [R/W - 7450/6900 MB/s] with Heatsink