Объем 500 Гб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E500BW

Артикул № 811680 Самый популярный SSD-накопитель Последняя модель самого продаваемого в мире SSD-накопителя, наконец, появилась на рынке. Накопитель 870 EVO создан на основе технологии Samsung, используемой в производстве SSD. Он отличается более высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям.

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/EU (SATA3)

Накопитель SSD Samsung SATA III 250Gb MZ-77E250BW 870 EVO 2.5"

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 4. Серия: 870 EVO. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: rtl. Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 4. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III

Контроллер NAND: Samsung MGX. Объем накопителя: 250. Тип жесткого диска: SSD. Форм-фактор: 2.5". Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.1x0.023. Вес упаковки (ед): 0.11. Интерфейс: SATA III. Гарантия: 12 мес.. Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 250. Потребляемая мощность: 3.5. Серия: 870 EVO. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.1x0.023. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 512. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 150 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 7.6. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 7.6. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 4.8E-03. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 4.8E-03. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.09. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14800. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 6.5E-03. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 9. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 2200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.09. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Скорость: чтения до 14800 МБ/с, записи до 13400 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Максимальная скорость записи: 3000. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000. Максимальная скорость чтения: 3500. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4. Память: тип NAND: TLC. Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000. Максимальная скорость чтения: 7150. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 1024. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 4.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.022x0.095. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Память: тип NAND: MLC. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1400000. Максимальная скорость чтения: 7250. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 5.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1050000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000. Максимальная скорость чтения: 7150. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 1024. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 4.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: MLC. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.05. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 7.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.2. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.023x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24.3. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.5. Серия: 990 Pro. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.144x0.098x0.021. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.021x0.145. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.2. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.098x0.02. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24.3. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 380. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 15000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.3. Объем накопителя: 240. Потребляемая мощность: 3.6. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 438 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Объем: 240 ГБ; интерфейс: SATA III. Ресурс: TBW 438 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Память: тип NAND: TLC. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 380 МБ/с

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 980000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 876 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 876 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Объем: 480 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 980000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.102x0.071x0.006. Вес упаковки (ед): 0.1. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 876 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 480 ГБ; интерфейс: SATA III. Ресурс: TBW 876 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 5100. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 850000. Максимальная скорость чтения: 7000. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1000000. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Тип поставки: oem. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.022x0.003. Вес упаковки (ед): 0.05. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5100 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 5200. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 8500000. Максимальная скорость чтения: 7000. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 5.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1000000. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Тип поставки: oem. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.022x0.003. Вес упаковки (ед): 0.05. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5200 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

SSD М.2, PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 cкорость чтения/записи 3500/3000 Mb/s, Samsung Pablo Controller, MLC 3D NAND, 2280, 80,15 x 22,15 x 2,38 мм., 8гр.

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 7450/6900 Mb/s, V-NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 2.0, 80.15 x 22.15 x 2.38мм

Цвет: черный | Потребляемая мощность, Вт: 7600.00 | Форм-фактор: M.2 | Модель: 9100 PRO | Ширина, мм: 100 | Высота, мм: 20 | Глубина, мм: 20 | Объем накопителя SSD: 1Тб | Тип флэш-памяти: TLC | Время наработки на отказ: 1500000.00 | Ресурс TBW: 600.00 | Объем, м3: 0.0002 | Вес, кг: 0.1 | Ударостойкость при работе: 1500 G | Ударостойкость при простое: 1500 G | Структура памяти NAND: 3D | Поддержка TRIM: есть | Интерфейс: PCI-e |

Модель: MZPLL1T6HAJQ-00005 | Ширина, мм: 270 | Высота, мм: 410 | Глубина, мм: 40 | Назначение: для серверов | Объем накопителя SSD: 1.6Тб | Тип флэш-памяти: 3D NAND | Скорость записи, МБ/сек: 2000.00 | Скорость чтения, МБ/сек: 5400.00 | Ресурс TBW: 8760.00 | Поддержка NVMe: да | Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 3.00 | Объем, м3: 0 | Вес, кг: 0.05 | Интерфейс: PCI-e | Архив: 0 |

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Серия: 980 Модель: MZ-V8V1T0BW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V8V1T0BW Объем накопителя: 1024 ГБ Максимальная скорость чтения: 3500 МБ/с Максимальная скорость записи: 3000 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000 Поддержка NVMe: ДА Потребляемая мощность: 5.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.045 Вт Вес упаковки (ед): 0.122 кг Разъем: M.2 Ударостойкость при хранении: 1500 G Толщина товара: 2.38 мм Тип жесткого диска: SSD Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000 Интерфейс: PCIe 3.0 x4 Ресурс TBW: 600 ТБ Поддержка TRIM: ДА Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 8 грамм Ключ M.2 разъема: M Ударостойкость при работе: 1500 G Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ноутбука, для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.02 м Объем упаковки (ед): 0.0002871 м3 Пропускная способность интерфейса: 32 Гбит/с

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Объем накопителя: 1024 ГБ Серия: 990 Pro Модель: MZ-V9P1T0CW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P1T0CW Радиатор охлаждения: ДА Максимальная скорость чтения: 7450 МБ/с Максимальная скорость записи: 6900 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Разъем: M.2 Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Потребляемая мощность: 7.8 Вт Ресурс TBW: 600 ТБ Мощность в режиме ожидания: 0.05 Вт Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 1024 МБ Совместимость с PS5: ДА Тип жесткого диска: SSD Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Поддержка TRIM: ДА Толщина товара: 8.2 мм Ширина товара: 24.3 мм Длина товара: 80 мм Вес устройства: 28 грамм Ключ M.2 разъема: M Для геймеров: ДА Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.023x0.165 м Вес упаковки (ед): 0.113 кг Объем упаковки (ед): 0.00037191 м3 Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Тип жесткого диска: SSD Объем накопителя: 1024 ГБ PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9S1T0B/AM Модель: 990 Evo Plus Максимальная скорость чтения: 7150 МБ/с Максимальная скорость записи: 6300 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Ключ M.2 разъема: M Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000 Ресурс TBW: 600 ТБ Потребляемая мощность: 4.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.06 Вт Толщина товара: 2.38 мм Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 9 грамм Особенности: Samsung V-NAND TLC Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Цвет: черный Назначение: для ноутбука, для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165 м Вес упаковки (ед): 0.109 кг Объем упаковки (ед): 0.0003234 м3 Тип памяти NAND: TLC Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Тип жесткого диска: SSD Объем накопителя: 1024 ГБ Модель: 990 EVO Plus PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9S1T0BW Максимальная скорость чтения: 7150 МБ/с Максимальная скорость записи: 6300 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000 Ресурс TBW: 600 ТБ Потребляемая мощность: 4.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.06 Вт Толщина товара: 2.38 мм Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 9 грамм Особенности: Samsung V-NAND TLC Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Вес упаковки (ед): 0.13 кг Ключ M.2 разъема: M Объем упаковки (ед): 0.00030305 м3 Назначение: для ноутбука, для ПК Тип памяти NAND: TLC Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с Цвет: черный Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.095x0.022 м

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Серия: 990 Pro Модель: MZ-V9P2T0BW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P2T0BW Объем накопителя: 2048 ГБ Максимальная скорость чтения: 7450 МБ/с Максимальная скорость записи: 6900 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Мощность в режиме ожидания: 0.055 Вт Толщина товара: 2.3 мм Потребляемая мощность: 8.5 Вт Вес упаковки (ед): 0.122 кг Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Разъем: M.2 Ударостойкость при хранении: 1500 G Тип жесткого диска: SSD Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Поддержка TRIM: ДА DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 2048 МБ Ресурс TBW: 1200 ТБ Ширина товара: 22 мм Длина товара: 80 мм Вес устройства: 9 грамм Ударостойкость при работе: 1500 G Ключ M.2 разъема: M Для геймеров: ДА Совместимость с PS5: ДА Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.021x0.145 м Объем упаковки (ед): 0.0003045 м3 Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ноутбука, для ПК Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с

Бренд: SAMSUNG Серия: 990 Pro Объем накопителя: 2048 ГБ Тип жесткого диска: SSD Форм-фактор: M.2 2280 Модель: MZ-V9P2T0CW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P2T0CW Максимальная скорость чтения: 7450 МБ/с Максимальная скорость записи: 6900 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 2048 МБ Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Ресурс TBW: 1200 ТБ Потребляемая мощность: 8.5 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.055 Вт Ключ M.2 разъема: M Совместимость с PS5: ДА Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Радиатор охлаждения: ДА Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.098x0.02 м Объем упаковки (ед): 0.0002842 м3 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Толщина товара: 8.2 мм Ширина товара: 24.3 мм Длина товара: 80 мм Вес устройства: 28 грамм Для геймеров: ДА Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ПК Вес упаковки (ед): 0.114 кг Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с

Бренд: SAMSUNG Серия: 990 Pro Тип жесткого диска: SSD Форм-фактор: M.2 2280 Объем накопителя: 4096 ГБ Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.1x0.02 м Вес упаковки (ед): 0.11 кг Объем упаковки (ед): 0.00032 м3 Максимальная скорость чтения: 7450 МБ/с Максимальная скорость записи: 6900 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 4096 МБ Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000 Ресурс TBW: 2400 ТБ Потребляемая мощность: 8.5 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.055 Вт Ключ M.2 разъема: M Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Модель: MZ-V9P4T0CW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9P4T0CW Толщина товара: 8.88 мм Ширина товара: 25 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 28 грамм Радиатор охлаждения: ДА Для геймеров: ДА Совместимость с PS5: ДА Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ПК Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Модель: 990 EVO Plus Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Тип жесткого диска: SSD PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9S4T0BW Объем накопителя: 4096 ГБ Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02 м Вес упаковки (ед): 0.13 кг Объем упаковки (ед): 0.00027742 м3 Максимальная скорость чтения: 7250 МБ/с Максимальная скорость записи: 6300 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Ключ M.2 разъема: M Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1050000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1400000 Ресурс TBW: 2400 ТБ Потребляемая мощность: 5.5 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.06 Вт Толщина товара: 2.38 мм Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 9 грамм Особенности: Samsung V-NAND TLC Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Тип памяти NAND: TLC Назначение: для ноутбука, для ПК Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с Цвет: черный

Бренд: SAMSUNG Объем накопителя: 1024 ГБ Модель: 9100 Pro Интерфейс: PCIe 5.0 x4 Тип жесткого диска: SSD Форм-фактор: M.2 2280 PartNumber/Артикул Производителя: MZ-VAP1T0CW Максимальная скорость чтения: 14700 МБ/с Максимальная скорость записи: 13300 МБ/с Радиатор охлаждения: ДА Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02 м Вес упаковки (ед): 0.12 кг Объем упаковки (ед): 0.00031622 м3 Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Ключ M.2 разъема: M DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 4096 МБ Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000 Ресурс TBW: 600 ТБ Потребляемая мощность: 8.1 Вт Мощность в режиме ожидания: 7.6 Вт Толщина товара: 8.88 мм Ширина товара: 25 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 30 грамм Для геймеров: ДА Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Совместимость с PS5: ДА Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Пропускная способность интерфейса: 128 Гбит/с Цвет: черный Назначение: для ноутбука, для ПК

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe 5.0 x4 Тип жесткого диска: SSD PartNumber/Артикул Производителя: MZ-VAP2T0BW Объем накопителя: 2048 ГБ Максимальная скорость записи: 13400 МБ/с Модель: 9100 Pro Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02 м Вес упаковки (ед): 0.12 кг Объем упаковки (ед): 0.00028 м3 Максимальная скорость чтения: 14700 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Ключ M.2 разъема: M DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 4096 МБ Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000 Ресурс TBW: 1200 ТБ Потребляемая мощность: 8.1 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.0048 Вт Толщина товара: 2.38 мм Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 9 грамм Для геймеров: ДА Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ноутбука, для ПК Пропускная способность интерфейса: 128 Гбит/с Цвет: черный Совместимость с PS5: ДА

Бренд: SAMSUNG Модель: 9100 Pro Интерфейс: PCIe 5.0 x4 Тип жесткого диска: SSD Форм-фактор: M.2 2280 PartNumber/Артикул Производителя: MZ-VAP2T0CW Объем накопителя: 2048 ГБ Максимальная скорость чтения: 14700 МБ/с Максимальная скорость записи: 13400 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Ключ M.2 разъема: M DRAM буфер: ДА Объем DRAM буфера: 4096 МБ Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000 Ресурс TBW: 1200 ТБ Потребляемая мощность: 8.1 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.0048 Вт Толщина товара: 8.88 мм Ширина товара: 25 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 30 грамм Для геймеров: ДА Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02 м Вес упаковки (ед): 0.09 кг Объем упаковки (ед): 0.00031622 м3 Назначение: для ноутбука, для ПК Пропускная способность интерфейса: 128 Гбит/с Цвет: черный Совместимость с PS5: ДА