Объем 1 Тб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E1T0BW

Объем 500 Гб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E500BW

Объем 1 Тб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s 600 МБ/с, скорость записи до: 520 МБ/с, скорость чтения до: 550 МБ/с (MZ-77Q1T0BW)

Артикул № 811680 Самый популярный SSD-накопитель Последняя модель самого продаваемого в мире SSD-накопителя, наконец, появилась на рынке. Накопитель 870 EVO создан на основе технологии Samsung, используемой в производстве SSD. Он отличается более высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям.

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/EU (SATA3)

Накопитель SSD Samsung SATA III 250Gb MZ-77E250BW 870 EVO 2.5"

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 4.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.143. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 4 ТБ; интерфейс: SATA III. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 5.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.15x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.08. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 54. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1440 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Память: DRAM буфер. Объем: 4 ТБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Ресурс: TBW 1440 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 7.6. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13300 МБ/с. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 4.8E-03. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 4.8E-03. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.09. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14800. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 6.5E-03. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 9. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 2200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 14800 МБ/с, записи до 13400 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14800. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 6.5E-03. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 9. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 2200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.09. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Скорость: чтения до 14800 МБ/с, записи до 13400 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Максимальная скорость записи: 3000. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000. Максимальная скорость чтения: 3500. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4. Память: тип NAND: TLC. Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Максимальная скорость записи: 1300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 320000. Максимальная скорость чтения: 2900. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 250. Потребляемая мощность: 5.6. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 230000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 150 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 2900 МБ/с, записи до 1300 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Объем: 250 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 5100. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1000000. Максимальная скорость чтения: 7000. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 6.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1000000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.6. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.164x0.098x0.023. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Вес устройства: 30.5. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК. Скорость: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5100 МБ/с. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.6 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1400000. Максимальная скорость чтения: 7250. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 5.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1050000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000. Максимальная скорость чтения: 7150. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 1024. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 4.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: MLC. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.05. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.4. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.02x0.165. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.05. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 7.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.2. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.023x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24.3. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.021x0.145. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1400000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.2. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.098x0.02. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24.3. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 30000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.5. Объем накопителя: 1.92. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 3504 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 3504 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Объем: 1.92 ТБ; интерфейс: SATA III. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 380. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 15000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.3. Объем накопителя: 240. Потребляемая мощность: 3.6. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 438 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Объем: 240 ГБ; интерфейс: SATA III. Ресурс: TBW 438 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Память: тип NAND: TLC. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 380 МБ/с

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 380. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 15000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 240. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.007. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 438 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 240 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Ресурс: TBW 438 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 380 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 30000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.5. Объем накопителя: 3.84. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.069x0.007. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 7008 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 3.84 ТБ; интерфейс: SATA III. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Ресурс: TBW 7008 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 980000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 876 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 876 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Объем: 480 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 30000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.5. Объем накопителя: 960. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.107x0.07x0.011. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1752 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 1752 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Память: тип NAND: TLC. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 960 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм

Время наработки на отказ: 2000000. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 60000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 1.4. Объем накопителя: 960. Потребляемая мощность: 3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 97000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 3. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Вес устройства: 70. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 5256 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 960 ГБ; интерфейс: SATA III. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Ресурс: TBW 5256 ТБ; DWPD: 3; время наработки: 2000000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 5200. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 8500000. Максимальная скорость чтения: 7000. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 5.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1000000. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Тип поставки: oem. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.022x0.003. Вес упаковки (ед): 0.05. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5200 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

Время наработки на отказ: 2000000. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 540. Объем накопителя: 960. Потребляемая мощность: 3.7. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 97000. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.096x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 60. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 5256 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Скорость: чтения до 540 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Объем: 960 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Ресурс: TBW 5256 ТБ; время наработки: 2000000 ч

SSD М.2, PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 cкорость чтения/записи 3500/3000 Mb/s, Samsung Pablo Controller, MLC 3D NAND, 2280, 80,15 x 22,15 x 2,38 мм., 8гр.

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 7450/6900 Mb/s, V-NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 2.0, 80.15 x 22.15 x 2.38мм

Серверное оборудование

Форм-фактор: M.2 | Объем накопителя SSD: 960Гб | Серия: PM9A3 | Тип флэш-памяти: TLC | Скорость записи: 1500.00 | Скорость чтения: 6500.00 | Толщина диска: 7 мм | Время наработки на отказ: 2000000.00 | PCIe Gen4: да | DWPD: 1.00 | Объем упаковки, м3: 4.8E-5 | Вес упаковки, кг: 0.1 |

Форм-фактор: 2,5" | Объем накопителя SSD: 1.92TB | Серия: PM9A3 | Тип флэш-памяти: TLC | Скорость записи: 2700.00 | Скорость чтения: 6800.00 | Толщина диска: 7 мм | Время наработки на отказ: 2000000.00 | PCIe Gen4: да | Объем упаковки, м3: 8.0E-5 | Вес упаковки, кг: 0.07 |

Форм-фактор: U.3 | Объем накопителя SSD: 3.84TB | Серия: PM1743 | Наличие PCIE: да | Тип флэш-памяти: TLC | Скорость записи: 3000.00 | Скорость чтения: 14000.00 | Время наработки на отказ: 2500000.00 | DWPD: 1.00 | Объем упаковки, м3: 8.0E-5 | Вес упаковки, кг: 0.07 |

Серверное оборудование

Объем упаковки, м3: 7.0E-5 | Вес упаковки, кг: 0.05 |

Твердотельный накопитель SSD Samsung MZWLO3T8HCLS-00A07 2.5" U.3, 3840GB, PM1743, 14000/6000 MB/s, 2500k/280k IOPS, PCI-e 5.0, 1DWPD (5Y), 15mm

[накопитель] Samsung SSD 250Gb 870 EVO MZ-77E250B/KR

SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus (MZ-V9S1T0BW) - это высокопроизводительное решение для хранения данных, разработанное ведущим производителем Samsung. Этот накопитель обеспечивает рекордную скорость чтения и записи, что делает его незаменимым помощником для тех, кто ценит быстродействие и надежность. Одним из ключевых преимуществ SSD накопителя Samsung 990 EVO Plus является его емкость в 1 ТБ. Это позволяет хранить большое количество данных, включая фотографии, видео, музыку и другие файлы.

Увеличьте быстродействие памяти до уровня NVMe Самое время для максимизации потенциала вашего ПК до уровня SSD серии 980. Если вам нужно повысить быстродействие в играх или в ресурсоемких графических приложениях, то SSD серии 980 - это лучший выбор, поскольку он поддерживает NVMe интерфейс и шину PCIe 3.0. Заточен на скорость Получите право на это. SSD серии 980 использует почти все преимущества скорости шины PCIe 3.0 благодаря технологии HMB и впечатляющей эффективности NVMe.

[накопитель] Samsung SSD 2Tb 990 PRO M.2 MZ-V9P2T0BW

[накопитель] Samsung SSD 2Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP2T0BW