Объем 1 Тб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E1T0BW

Объем 500 Гб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E500BW

Артикул № 811680 Самый популярный SSD-накопитель Последняя модель самого продаваемого в мире SSD-накопителя, наконец, появилась на рынке. Накопитель 870 EVO создан на основе технологии Samsung, используемой в производстве SSD. Он отличается более высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям.

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/EU (SATA3)

Накопитель SSD Samsung SATA III 250Gb MZ-77E250BW 870 EVO 2.5"

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 4. Серия: 870 EVO. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: rtl. Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 4. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung MKX. Максимальная скорость записи: 530. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 88000. Максимальная скорость чтения: 560. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.03. Объем накопителя: 250. Потребляемая мощность: 3.5. Серия: 870 EVO. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 98000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 6.8. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.1x0.023. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 512. Вес устройства: 45. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 150 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с. Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14700. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 4.8E-03. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 8.1. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.14x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 1200 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 13400. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 2600000. Максимальная скорость чтения: 14800. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 6.5E-03. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 9. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 2200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.09. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Вес устройства: 30. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 5.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Скорость: чтения до 14800 МБ/с, записи до 13400 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Время наработки на отказ: 1500000. Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller. Максимальная скорость записи: 3000. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000. Максимальная скорость чтения: 3500. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.04. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 5.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.021. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4. Память: тип NAND: TLC. Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000. Максимальная скорость чтения: 7150. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 1024. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 4.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.022x0.095. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Память: тип NAND: MLC. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1400000. Максимальная скорость чтения: 7250. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 5.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1050000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.143x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6300. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000. Максимальная скорость чтения: 7150. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 1024. Особенности: Samsung V-NAND TLC. Потребляемая мощность: 4.3. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: MLC. Толщина товара: 2.38. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Память: тип NAND: MLC. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6300 МБ/с. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7150 МБ/с, записи до 6450 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Серия: 990. Объем накопителя: 1024. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Разъем: M.2. Максимальная скорость чтения: 7150. Максимальная скорость записи: 6450. Тип памяти NAND: MLC. Структура памяти NAND: 3D. Поддержка NVMe: есть. Поддержка TRIM: есть. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1100000. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 700000. Ресурс TBW: 400 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000. Потребляемая мощность: 4.3. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Толщина товара: 2.38. Тип жесткого диска: SSD. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.1x0.022. Вес упаковки (ед): 0.12. Ключ M.2 разъема: M. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Ударостойкость при работе: 1500 G. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Вес устройства: 9. Гарантия: 12 мес.

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7250 МБ/с, записи до 6450 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм. Ресурс: TBW 800 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: MLC; DRAM буфер. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM. Серия: 990. Объем накопителя: 2. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Разъем: M.2. Максимальная скорость чтения: 7250. Максимальная скорость записи: 6450. Тип памяти NAND: MLC. Структура памяти NAND: 3D. Поддержка NVMe: есть. Поддержка TRIM: есть. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 2. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1200000. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000. Ресурс TBW: 800 ТБ. Время наработки на отказ: 1500000. Потребляемая мощность: 4.3. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Толщина товара: 2.38. Тип жесткого диска: SSD. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.101x0.022. Вес упаковки (ед): 0.12. Ключ M.2 разъема: M. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Ударостойкость при работе: 1500 G. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 22.15. Вес устройства: 9. Гарантия: 12 мес.

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.05. Объем накопителя: 1024. Потребляемая мощность: 7.8. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1200000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.2. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.023x0.165. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 1024. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 24.3. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 600 ТБ. Предназначен: для ПК. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.163x0.097x0.02. Вес упаковки (ед): 0.12. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 9. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер. Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм

Время наработки на отказ: 1500000. Максимальная скорость записи: 6900. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1550000. Максимальная скорость чтения: 7450. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 0.06. Объем накопителя: 4. Потребляемая мощность: 8.5. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 1600000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.88. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Радиатор охлаждения: есть. Для геймеров: ДА. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.1x0.02. Вес упаковки (ед): 0.11. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. DRAM буфер: ДА. Объем DRAM буфера: 4. Совместимость с PS5: да. Вес устройства: 28. Ключ M.2 разъема: M. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80.15. Ширина товара: 25. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 2400 ТБ. Предназначен: для ПК. Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с. Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5. Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм. Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 980000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.07x0.005. Вес упаковки (ед): 0.13. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 876 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 876 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Объем: 480 ГБ; интерфейс: SATA III. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC

Время наработки на отказ: 2000000. Контроллер NAND: Samsung MJX. Максимальная скорость записи: 520. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 29000. Максимальная скорость чтения: 550. Потребляемая мощность в режиме ожидания: 15. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 3.2. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 980000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Тип поставки: oem. Разъем: SATA. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 1. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.102x0.071x0.006. Вес упаковки (ед): 0.1. Ударостойкость при работе: 20 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 100.2. Ширина товара: 69.85. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 876 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм. Память: тип NAND: TLC. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Объем: 480 ГБ; интерфейс: SATA III. Ресурс: TBW 876 ТБ; DWPD: 1; время наработки: 2000000 ч

SSD М.2, PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 cкорость чтения/записи 3500/3000 Mb/s, Samsung Pablo Controller, MLC 3D NAND, 2280, 80,15 x 22,15 x 2,38 мм., 8гр.

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 7450/6900 Mb/s, V-NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 2.0, 80.15 x 22.15 x 2.38мм

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Серия: 980 Модель: MZ-V8V1T0BW PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V8V1T0BW Объем накопителя: 1024 ГБ Максимальная скорость чтения: 3500 МБ/с Максимальная скорость записи: 3000 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Контроллер NAND: Samsung Pablo Controller Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 500000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000 Поддержка NVMe: ДА Потребляемая мощность: 5.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.045 Вт Вес упаковки (ед): 0.122 кг Разъем: M.2 Ударостойкость при хранении: 1500 G Толщина товара: 2.38 мм Тип жесткого диска: SSD Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 480000 Интерфейс: PCIe 3.0 x4 Ресурс TBW: 600 ТБ Поддержка TRIM: ДА Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 8 грамм Ключ M.2 разъема: M Ударостойкость при работе: 1500 G Тип памяти NAND: TLC Структура памяти NAND: 3D Назначение: для ноутбука, для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.099x0.02 м Объем упаковки (ед): 0.0002871 м3 Пропускная способность интерфейса: 32 Гбит/с

Форм-фактор: 2,5" | Модель: PM1653 | Объем накопителя SSD: 960Гб | Скорость записи: 1300.00 | Скорость чтения: 2100.00 | Наличие SAS: да | DWPD: 1.00 | Объем упаковки, м3: 8.0E-5 | Вес упаковки, кг: 0.07 |

Серверный SSD Samsung PM893. Объем 240 ГБ. 2.5" 7 мм. SATA III. Для ЦОД.

Серверный SSD Samsung PM893. Объем 480 ГБ. SATA III.

Серверный SSD Samsung PM893. Объем 960 ГБ. SATA III. Скорость 550 МБ/с.

Серверный SSD Samsung PM9A3. Объем 960 ГБ. U.2. NVMe. PCIe 4.0.

[накопитель] Samsung SSD 1Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP1T0BW

SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus (MZ-V9S1T0BW) - это высокопроизводительное решение для хранения данных, разработанное ведущим производителем Samsung. Этот накопитель обеспечивает рекордную скорость чтения и записи, что делает его незаменимым помощником для тех, кто ценит быстродействие и надежность. Одним из ключевых преимуществ SSD накопителя Samsung 990 EVO Plus является его емкость в 1 ТБ. Это позволяет хранить большое количество данных, включая фотографии, видео, музыку и другие файлы.

[накопитель] Samsung SSD 250Gb 870 EVO MZ-77E250B/AM

Объем накопителя: 250 ГБ; Скорости: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с; Интерфейс: SATA III; Тип памяти: 3D TLC; TBW: 150 ТБ; Форм-фактор: 2.5"; толщина 6.8 мм; разъем SATA

[накопитель] Samsung SSD 2Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP2T0BW

[накопитель] Samsung SSD 4Tb 9100 PRO Black M.2 MZ-VAP4T0CW

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/AM

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/CN

SSD для персональных компьютеров Объем: 4000 Гб, Формат: M.2 Type 2280 M Key M.2 PCI-E Gen4 x4 На базе чипов: TLC (Triple Level Cell) Поддержка TRIM