Оперативная память Apacer [EL.08G21.GSH] объемом 8 ГБ обеспечивает высокие показатели надежности, скорости и стабильности при совместном функционировании с другими комплектующими аппаратной платформы ПК. Данный модуль работает с частотой 3200 МГц и пропускной способностью в пределах значения 25600 Мбит/с. Быстрые чипы стандарта DDDR4 помогают улучшить скорость обработки различных компьютерных команд при низком энергопотреблении.

Модуль памяти Advantech AQD-D3L2GN16-SQ (AQD-D3L2GN16-SQ1) Модуль памяти Advantech 2G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1.35V Unbuffered Samsung Chip Advantech {100}

Модуль памяти AMD Radeon 16GB DDR5 5600 SO DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory Non-ECC, CL46, 1.1V, RTL (R5516G5600S1S-U)

Модуль памяти AMD Radeon 32GB DDR5 5200 SO DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL (R5532G5200S2S-U)

AMD PC3-10600 DIMM DDR3 1333MHz - 4Gb R334G1339U1S-UO - высокоскоростная энергозависимая часть системы, которая выступает буфером между дисковыми накопителями и процессором компьютера. Она служит для ускорения работы процессора путем хранения машинного кода, а также входных, выходных и промежуточных параметров. Оперативная память относится к третьему поколению, которое характеризуется удвоенной скоростью передачи данных и уменьшенным энергопотреблением.

Модуль памяти AMD Radeon 4GB DDR3 1333 SO DIMM R3 Value Series Black R334G1339S1S-U Non-ECC, CL9, 1.5V, Retail R334G1339S1S-U (182774)

Дополнительно Система охлаждения нет Напряжение питания 1.5 В Гарантия 24 мес. Основные Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Код производителя R334G1339S1S-UO Пропускная способность 10600 Мб/с Производитель AMD Объем памяти 4 Гб Тактовая частота 1333 МГц Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Тайминги RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Activate to Precharge Delay (tRAS) 24 CAS Latency (CL)

Модуль памяти AMD Radeon 4GB DDR3 1600 SO DIMM R5 Entertainment Series Black R534G1601S1S-U Non-ECC, CL11, 1.5V, R534G1601S1S-U Retail (180909)

Модуль памяти AMD Radeon 4GB DDR3L 1600 DIMM R5 Entertainment Series Black R534G1601U1SL-UO Non-ECC, CL11, R534G1601U1SL-UO 1.35V, Bulk (182705)

Модуль памяти AMD Radeon 4GB DDR3L 1600 SO DIMM R5 Entertainment Series Black R534G1601S1SL-U Non-ECC, CL11, R534G1601S1SL-U 1.35V, Retail (182460)

Напряжение питания (В): 1.35 В Стандарт: DDR3 Форм-фактор: SODIMM Вид поставки: Bulk Объем одного модуля: 4 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 4 ГБ Эффективная частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Поддержка ECC: Нет Буферизованная (регистровая): Нет Низкопрофильная: Нет Количество контактов: 204 CAS Latency (CL): 11 Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C Расширенная операционная температура (Tcase)

Серия продукции: Radeon R3 Value Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR3 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 240 CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Серия продукции: Radeon R3 Value Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR3 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 240 CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Модуль памяти AMD Radeon 8GB DDR3 1333 SO DIMM R338G1339S2S-UO Non-ECC, CL9, 1.5V, Black, Bulk (180350)

Серия продукции: Radeon R5 Entertainment Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR3 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 240 CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Модуль памяти AMD Radeon 8GB DDR3 1600 DIMM R5 Entertainment Series Black R538G1601U2S-UO Non-ECC, CL11, 1.5V, R538G1601U2S-UO Bulk (180060)

Напряжение питания (В): 1.5 В Стандарт: DDR3 Форм-фактор: SODIMM Вид поставки: Retail Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Поддержка ECC: Нет Буферизованная (регистровая): Нет Низкопрофильная: Нет Количество контактов: 204 CAS Latency (CL): 11 Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C Расширенная операционная температура (Tcase)

Модуль памяти AMD Radeon 8GB DDR3L 1600 SO DIMM R5 Entertainment Series Black R538G1601S2SL-U Non-ECC, CL11, R538G1601S2SL-U 1.35V, Retail (180923)

Модуль памяти AMD Radeon 8G DDR3L 1600 SO DIMM R5 Entertainment Series Black R538G1601S2SL-UO Non-ECC, CL11, R538G1601S2SL-UO 1.35V, Bulk (180701)

Оперативная память SODIMM AMD Radeon R7 Performance Series [R7416G2400S2S-U] 16 ГБ обладает отличными характеристиками. Она разработана для установки в ноутбуки, используется для расширения ОЗУ, замены устаревших и вышедших из строя модулей. Планка принадлежит к типу DDR4. Перед совершением приобретения проверьте, поддерживает ли ваше устройство подобные модули. Рабочая частота планки – 2400 МГц. За счет этого обеспечивается быстрый обмен данными, увеличивается производительность системы.

Модуль памяти AMD Radeon R7 Performance Series Black R7416G2400S2S-UO 16GB DDR4 2400 SO DIMM Non-ECC, CL17, 1.2V, Bulk (181418) {50}

Модель R7416G2606S2S-UO Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Режим работы двухканальный Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7416G2606S2S-UO Количество чипов 16 Длина упаковки (ед) 0.13 Ширина упаковки (ед) 0.03 Высота упаковки (ед) 0.002 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.13x0.03x0.002 Вес упаковки (ед) 0.02 Объем упаковки (ед)

Модуль памяти AMD Radeon™ R9 Gamers Series Black Gaming Memory R944G3206S1S-U 4GB DDR4 3200 SO DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, RTL (182439) {100}

Модуль памяти AMD Radeon™ R9 Gamers Series Black Gaming Memory R944G3206S1S-UO 4GB DDR4 3200 SO DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, Bulk (182262) {50}

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 8 шт Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Вид номенклатуры: модули памяти Единица хранения: ШТ Наименование для печати: Оперативная память 16GB AMD Performance R7416G2133U2S-U DDR4, 2133 MHz, 17000 Мб/с, CL15, 1.2 В (DIMM) Текстовое описание: Модуль памяти 16GB AMD Performance R7416G2133U2S-U DDR4, 2133 MHz, 17000 Мб/с, CL15, 1.2 В (DIMM) Производитель: AMD Цвет: - Страна производитель: китай Форм-фактор: DIMM Система охлаждения: НЕТ Артикул: R7416G2133U2S-U Гарантия: 3 года Part number: R7416G2133U2S-U Вес устройства (г)

Тактовая частота: 3200|МГц Объем: 2 модуля по 8|ГБ Форм-фактор: DIMM Базовая единица: шт Поддержка XMP: Нет Пропускная способность: PC25600 Поддержка ECC: Нет Буферизованная (Registered): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Радиатор: есть Срок службы: 5 лет Тип: DDR4 Количество модулей в комплекте: 2 Объем одного модуля: 8|ГБ CL: 16 tRCD: 18 tRP: 18 Количество контактов: 288 Особенности: радиатор

Модуль памяти AMD Radeon™ R9 Gamers Series Black R948G3206U2S-U 8GB DDR4 3200 DIMM Non-ECC, CL16, 1.35V, RTL (181876) {40}

Модуль памяти Apacer 8GB DDR5 4800 DIMM CL40, 1.2V, 1024x16, RTL

Модуль памяти Crucial 8GB DDR5 4800 DIMM CT8G48C40U5 Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL (905611)

Объем: 4 ГБ Частота: 1333 МГц Латентность: CL9 Тайминги: 9-9-9-24 Форм-фактор: DIMM, 240-pin Тип поставки: Ret