1 модуль памяти DDR4 • объем модуля 4 ГБ • форм-фактор DIMM, 288-контактный • частота 2400 МГц • CAS Latency (CL): 16

1 модуль памяти DDR4 • объем модуля 4 ГБ • форм-фактор DIMM, 288-контактный • частота 2666 МГц • CAS Latency (CL): 19

модуль памяти DDR3 • объем модуля 8 ГБ • форм-фактор DIMM, 240-контактный • частота 1600 МГц • CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3 • объем модуля 8 ГБ • форм-фактор DIMM, 240-контактный • частота 1600 МГц • CAS Latency (CL): 11

ХарактеристикиПроизводительQumoМодельQUM3S-4G1333С9Гарантия производителя2 годаКоличество контактов240Количество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.5НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)4Поддержка ECCНетПоддержка RegНетПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)10600Тайминги9-9-9Тип модуляSO-DIMMЦветКомбинированныйЧастота (MHz)DDR3 - 1333Чип512M x 8-bitДлина(см)0Ширина(см)0Высота(см)

Оперативная память QUMO подойдет для установки в различные компьютеры. Ее можно использовать как для рабочих ПК, так и в универсальных сборках для широкого спектра задач. Планка покроет все потребности. Объем памяти модуля составляет 8 ГБ. Этого достаточно для ряда устройств. Но можно совместить планку с элементами со схожими характеристиками. Форм-фактор модуля – DIMM. Он используется для различных стационарных систем. Учитывайте и тип памяти – DDR4.

Артикул № 907074 Память DDR5 QUM5U-16G4800N40 работает на частоте 4800 МГц, при этом является более энергоэффективной по сравнению с предыдущим поколением оперативной памяти DDR4. Стандарт рабочего напряжения для DDR5 - 1.1 В. Это дает на 20% меньше энергопотребления, по сравнению с памятью DDR4 (1,2 В). Память QUM5U-16G4800N40 устанавливается на материнские платы стационарных компьютеров в слот DDR5 DIMM. Увеличение объема оперативной памяти обеспечит повышение производительности ПК.

Память QUMO DDR5 U-DIMM работает на частоте до 4800 MHz, при этом является более энергоэффективной по сравнению с DDR4 (максимальная официальная частота 3200 MHz). Стандарт рабочего напряжения для DDR5 - 1.1 V. Это дает на 20% меньше энергопотребления, по сравнению с памятью DDR4 (1,2 V).