Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.045x0.005. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.05x0.002. Вес упаковки (ед): 9E-03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Латентность: CL11