CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V, Micron SDRAM, single rank

Оперативная память для ноутбука 4Gb (1x4Gb) PC3-12800 1600MHz DDR3 SO-DIMM CL11 CBR CD3-US04G16M11-01 CD3-US04G16M11-01

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G24M17-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2400; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 19200.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US08G32M22-00S; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Напряжение питания (В): 1.2 В Стандарт: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Буферизованная (регистровая): Нет Низкопрофильная: Нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 19 Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C Расширенная операционная температура (Tcase)

Модель CD4-US16G32M22-01 Тип оборудования Оперативная память Частота (MHz) DDR4 - 3200 Тип модуля DIMM Объем одного модуля (ГБ) 16 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Общий объем памяти (ГБ) 16 Пропускная способность (МБ/с) 25600 Поддержка ECC Нет Поддержка Reg Нет Низкопрофильная нет Количество контактов 288 CAS Latency (CL) 22 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate to Precharge Delay (tRAS)