модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: DS.08G2K.KAM

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.085 GTD Number 10005030/050623/3147649 GTIN 04712389906656 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер ES.16G21. GSH RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 16 Дополнительная информация - Количество контактов 260 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка Нет масса(кг) 0.085 Модель ES.16G21. GSH Напряжение (В)