Товары бренда: AMD Radeon

**Модуль памяти 32GB AMD Radeon™ DDR5 4800 SO-DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL (R5532G4800S2S-U)** — это модуль оперативной памяти для ноутбуков и других устройств с разъёмом SO-DIMM. Основные характеристики: * объём памяти — 32 ГБ; * тип памяти — DDR5; * частота — 4800 МГц; * тайминги — CL40; * напряжение питания — 1,1 В. Эта модель может быть использована для улучшения производительности игровых ноутбуков, а также для работы с требовательными приложениями. Она обеспечивает быструю передачу данных и высокую скорость работы системы. Обратите внимание, что перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашим устройством.

Дополнительно Система охлаждения нет Напряжение питания 1.5 В Гарантия 24 мес. Основные Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Код производителя R334G1339S1S-UO Пропускная способность 10600 Мб/с Производитель AMD Объем памяти 4 Гб Тактовая частота 1333 МГц Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Тайминги RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Activate to Precharge Delay (tRAS) 24 CAS Latency (CL)

**Модуль памяти AMD Radeon R534G1601U1S-U** — это устройство, предназначенное для расширения объёма оперативной памяти компьютера. Основные характеристики: * объём памяти — 4 ГБ; * тип памяти — DDR3; * форм-фактор — DIMM; * тактовая частота — 1600 МГц; * пропускная способность — PC12800; * тайминги — CL11; * напряжение питания — 1,5 В. Модуль памяти поставляется в розничной упаковке и не поддерживает коррекцию ошибок (non-ECC). Обратите внимание, что характеристики могут незначительно отличаться от указанных в зависимости от партии товара.

**Модуль памяти AMD Radeon 4GB DDR3 1600 SO DIMM R5 Entertainment Series Black R534G1601S1S-UO** — это устройство, предназначенное для расширения объёма оперативной памяти в компьютере. Основные характеристики: * объём памяти — 4 ГБ; * тип памяти — DDR3; * тактовая частота — 1600 МГц; * форм-фактор — SO-DIMM; * серия — R5 Entertainment; * цвет — чёрный; * артикул — R534G1601S1S-UO; * напряжение питания — 1,5 В. Обратите внимание, что информация может быть неполной. Для получения более подробных сведений рекомендуется обратиться к документации или официальному сайту производителя.

Оперативная память 8GB AMD Radeon DDR5 4800 SO-DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory - это высокопроизводительный модуль памяти, разработанный для обеспечения максимальной производительности и стабильности в игровых системах. Оперативная память AMD Radeon DDR5 4800 SO-DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory использует тип памяти DDR5, который обеспечивает более высокую скорость передачи данных и улучшенную энергоэффективность по сравнению с DDR4. Форм-фактор SODIMM (Small Outline Dimm)

Оперативная память SODIMM AMD Radeon R7 Performance Series [R7416G2400S2S-U] 16 ГБ обладает отличными характеристиками. Она разработана для установки в ноутбуки, используется для расширения ОЗУ, замены устаревших и вышедших из строя модулей. Планка принадлежит к типу DDR4. Перед совершением приобретения проверьте, поддерживает ли ваше устройство подобные модули. Рабочая частота планки – 2400 МГц. За счет этого обеспечивается быстрый обмен данными, увеличивается производительность системы.

Модель R7416G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Режим работы двухканальный Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7416G2606S2S-U Количество чипов 16 Вес упаковки (ед) 0.02 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 16384 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182361 .

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 8 шт Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)





